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多线切割工艺对表面损伤层的影响
 
发布时间:2017.06.13 新闻来源:
 
多线切割工艺对表面损伤层的影响
  通常情况下,硅切片损伤层深度与碳化硅的粒径大小有关,碳化硅粒径越大,损伤层深度越深。由于砂浆的黏度随使用时间的增加而降低[6],将导致金属线携带砂浆的能力逐步降低。考虑到砂浆的配比决定着砂浆的密度以及碳化硅在砂浆中的分布,故使用不同体积比的砂浆(即绿碳化硅和切削液的混合液)进行试验。由表1可知,当砂浆中绿碳化硅浓度过大或过小时,晶片表面研磨作用弱化,金属线的切削力加强,增加了表面损伤层的深度,导致表面粗糙度变差。因此,绿碳化硅的浓度是晶片表面损伤层的影响因素。
  2.2多线切割工艺对切片几何参数的影响
  2.2.1多线切割工艺对切片TTV的影响
  在砂浆流量一定的条件下,提高供线速度,金属线上的砂浆分布均匀,砂浆与单晶的接触面积增大,由于砂浆的研磨作用,切片表面凹点与凸点之间的差异降低,提高切片的TTV水平。在供线速度一定的条件下,提高砂浆流量,金属线的负载增加且在切割方向的波动增大,容易出现断线。本研究中,开展了不同供线速度、不同砂浆流量的多线切割工艺的正交试验,试验结果如表2所示。从表2表中可知,砂浆流量一定时,若供线速度为30m/min,硅片的TTV数值较为理想;供线速度一定时,硅片的TTV随流量的增大而减小。为获得较好的TTV,确定供线速度为30m/min,砂浆流量为25~30LPM。
 

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